ddr 266mhz 笔记本内存条_ddr4 2666笔记本内存条

2024-05-25 08:41:13

ddr 266mhz 笔记本内存条是一个非常重要的话题，可以从不同的角度进行思考和讨论。我愿意与您分享我的见解和经验。

1.DDR266内存和DDR400有什么不同？

2.ddr内存的频率和存取速度有什么关系吗？ddr266和ddr333性能差的大吗？请各位大虾多多指教！

3.内存中PC2700与DDR266的区别

4.ddr266和ddr400内存条可以混用吗，效率如何？怎么看是在什么频率下工作？

5.关于DDR266和DDR400的情况

ddr 266mhz 笔记本内存条_ddr4 2666笔记本内存条

DDR266内存和DDR400有什么不同？

DDR400,333,266它们除了频率上的区别外，还有延迟时间上的区别，DDR400的频率是最快的，达到了200MHZ（为什么是200MHZ，因为DDR内存是双倍速率随机动态同步存储器的意思，所以DDR400是200乖以2得来的，那么换算过了，DDR400的实际频率就是200MHZ，333的实际频率是166的，266的是133的，DDR2533的是266，DDR2667是333的，DDR2800的是400MHZ的。）但是DDR400也是DDR内存中延迟最后的，一般的，速度快的内存，相对速度慢的内存延迟要高些。从外观上看它们大致相同，但是也有一定的区别，这主要是从与它们容量和速度相关的内存颗粒上看出的，256MB的内存不管是DDR几的，都是单面的，而512与512兆以上的，多半是两面都有颗粒的。还有，DDR400的内存所使用的颗粒的速度是5NS的，而333的是6NS的，266的是7NS（一般是这样的）。其次还有电压和针脚定义的不同，还有封装形式，大多是采用TSOP（薄型小尺寸封装）还有MBGA（微型栅格球形阵列封装）的。

ddr内存的频率和存取速度有什么关系吗？ddr266和ddr333性能差的大吗？请各位大虾多多指教！

尊敬的三星用户您好：

根据您的描述:

三星笔记本R467最大支持4GB内存，内存频率为DDR2 667MHz / 800MHz (Not support 533MHz)有两个内存卡槽。

若您需要升级内存建议您购买同品牌，同频率的内存条以确保系统稳定运行。如果您已经购买内存条，可以选择去维修站添加，也可以自行添加；

如果您没有购买内存条，建议您直接到维修站添加。

注意：自行添加内存后，由于用户自行添加内存导致的故障，三星不包修.

三星服务中心地址：

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三星企业知道，为您提供优质的解决方案，用心解答您的问题，希望能够得到您的满意评价。

内存中PC2700与DDR266的区别

内存频率是指内存的工作频率，例如DDR266的工作频率即为266MHz，根据内存带宽的算法：带宽＝总线宽度×一个时钟周期内交换的数据包个数×总线频率，DDR266的带宽=133×2×8=2128，它的传输带宽为2.1G/s，因此DDR266又俗称为PC2100。同理，DDR333的工作频率为333MHz，传输带宽为2.7G/s，俗称PC2700；DDR400的工作频率为400MHz，传输带宽为3.2G/s，俗称PC3200。

内存速度一般取决于你的CPU的外频，

Intel系列处理器

FSB400：64位总线位宽×400MHz/8＝3200MB/s＝3.2GB/s

FSB533：64位总线位宽×533MHz/8＝4200MB/s＝4.2GB/s

FSB800：64位总线位宽×800MHz/8＝6400MB/s＝6.4GB/s

AMD系列处理器

FSB266：64位总线位宽×266MHz/8＝2128MB/s＝2.128GB/s

FSB333：64位总线位宽×333MHz/8＝2664MB/s＝2.664GB/s

FSB400：64位总线位宽×400MHz/8＝3200MB/s＝3.2GB/s

目前主板所用的内存基本上都是DDR内存，该内存的位宽都是64位，根据内存带宽的计算公式“内存带宽＝工作频率×位宽/8×n，可以算出主流DDR内存的带宽：

DDR266：133MHz×8Bytes×2＝2128MB/s＝2.128GB/s

DDR333：166MHz×8Bytes×2＝2656MB/s＝2.656GB/s

DDR400：200MHz×8Bytes×2＝3200MB/s＝3.2GB/s

ddr266和ddr400内存条可以混用吗，效率如何？怎么看是在什么频率下工作？

关于DDR内存编号，国际标准化组织（简称ISO）有如下分类

PC1600—DDR200 MHZ （100X2）

PC2100—DDR266 MHZ （133X2）

PC2700—DDR333 MHZ （166X2）

PC3000—DDR366 MHZ （183X2）

PC3200—DDR400 MHZ （200X2）

PC3500—DDR433 MHZ （216X2）

由此可知，PC2700是DDR 333型号内存——LZ使用的内存的ISO编号，而根据LZ的BIOS项可知LZ的内存，实际工作在DDR266模式下

DDR是Double Data Rate的缩写（双倍数据速率），DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66（总线频率66MHZ），PC100（100MHZ总线），PC133（133MHZ总线） SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据（SDRAM只能通过下行传输），因此在频率相等的情况下拥有双倍于 SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins，而SDRAM则是168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM。

而DDR 266则表示：DDR内存，存储速率为266MHZ（实际工作频率为133MHZ）；DDR 333存储速率为333MHZ，实际工作频率即为166MHZ

一般的，支持双通道DDR内存技术的主板，在不使用双通道技术时，其内存一般工作在DDR266模式下，即虽然有333MHZ的传输速率，却只在133MHZ工作频率之下——这实际上是一种硬件保护技术：在用户不了解内存实际工作频率下，默认一个比较低的频率，以保证PC硬件整体的稳定（当然这也是为了和PC-133型号的内存兼容——DDR266和PC-133内存实际工作频率是相同的）。不过，一般这个BIOS项是可调的，用户可以根据自己的内存型号，来手动调节合适的项目

关于DDR266和DDR400的情况

DDR和DDR2的区别

严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：

在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

首先同情一下你的遭遇，其次还是忍不住要告诉你真相。

ddr266和400都属于第一代ddr内存，目前价格是最高的，比新的还贵。就因为停产了。那么停产之后的内存是坏一个废一个，有些高手修了一部分，修的就是爱坏。

分析你的操作结果，你很仔细，那么我就仔细分析给你看。

混插结果蓝屏是给予一个400内存的问题。

2.单独DDR400

1G内存，在Windows

Vista

安装时蓝屏。使用XP时死机蓝屏。在windows

中时不时出现“Windows

资源管理器正在结束工作...”

单个ddr400都蓝屏了，根本就是坏的。